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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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应用所有
结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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IPDQ60T017S7AXTMA1AUTOMOTIVE_COOLMOS Infineon Technologies |
100 | - |
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规格书 |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPQC60T017S7AXTMA1AUTOMOTIVE_COOLMOS Infineon Technologies |
100 | - |
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规格书 |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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AIMCQ120R030M1TXTMA1SIC_DISCRETE Infineon Technologies |
63 | - |
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- |
CoolSiC™ | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1200 V | 78A (Tc) | 18V, 20V | 38mOhm @ 27A, 20V | 5.1V @ 8.6mA | 57 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1738 pF @ 800 V | - | 417W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-HDSOP-22 |
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AIMZHN120R020M1TXKSA1SIC_DISCRETE Infineon Technologies |
30 | - |
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规格书 |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 100A (Tc) | 18V, 20V | 25mOhm @ 43A, 20V | 5.1V @ 13.7mA | 82 nC @ 20 V | +23V, -5V | 2667 pF @ 800 V | - | 429W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO247-4-14 |
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IDYH50G200C5XKSA1SIC DISCRETE Infineon Technologies |
75 | - |
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- |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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FF100R12W1T7EB11BPSA1EASY STANDARD Infineon Technologies |
24 | - |
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规格书 |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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FF6MR12W2M1HB70BPSA1LOW POWER EASY Infineon Technologies |
10 | - |
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规格书 |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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FF4MR12W2M1HB70BPSA1LOW POWER EASY Infineon Technologies |
13 | - |
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规格书 |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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FF1700XTR17IE5DBPSA1PP IHM I Infineon Technologies |
2 | - |
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规格书 |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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BSD316SNL6327XTMOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 Infineon Technologies |
482 | - |
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规格书 |
OptiMOS™ | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 1.4A (Ta) | 4.5V, 10V | 160mOhm @ 1.4A, 10V | 2V @ 3.7µA | 0.6 nC @ 5 V | ±20V | 94 pF @ 15 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT363-PO |
