上传BOM
场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTF2N300P3MOSFET N-CH 3000V 1.6A I4PAC IXYS |
0 | - |
|
规格书 |
Polar P3™ | ISOPLUSi5-PAK™ | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 3000 V | 1.6A (Tc) | 10V | 21Ohm @ 1A, 10V | 5V @ 250µA | 73 nC @ 10 V | ±20V | 1890 pF @ 25 V | - | 160W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS i4-PAC™ |
|
IXFN44N50U2MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 44A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 8mA | 270 nC @ 10 V | ±20V | 8400 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
IXFN44N50U3MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 44A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 8mA | 270 nC @ 10 V | ±20V | 8400 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
VMO150-01P1MOSFET N-CH 100V 165A ECO-PAC2 IXYS |
0 | - |
|
规格书 |
HiPerFET™ | ECO-PAC2 | Box | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 165A (Tc) | 10V | 8mOhm @ 90A, 10V | 4V @ 8mA | 400 nC @ 10 V | ±20V | 9400 pF @ 25 V | - | 400W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ECO-PAC2 |
|
VMO60-05FMOSFET N-CH 500V 60A TO240AA IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™ | TO-240AA | Box | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 60A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 24mA | 405 nC @ 10 V | ±20V | 12600 pF @ 25 V | - | 590W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | TO-240AA |
|
|
MCB60I1200TZ1200V 90A SIC POWER MOSFET IXYS |
0 | - |
|
规格书 |
- | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Obsolete | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 90A (Tc) | 20V | 34mOhm @ 50A, 20V | 4V @ 15mA | 160 nC @ 20 V | +20V, -5V | 2790 pF @ 1000 V | - | - | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA (D3Pak-HV) |
|
|
MCB60I1200TZ-TUBSICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA IXYS |
0 | - |
|
规格书 |
- | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 90A (Tc) | 20V | 34mOhm @ 50A, 20V | 4V @ 15mA | 160 nC @ 20 V | +20V, -5V | 2790 pF @ 1000 V | - | - | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA (D3Pak-HV) |
|
VMO1200-01FMOSFET N-CH 100V 1220A Y3-LI IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™ | Y3-Li | Box | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 1220A (Tc) | 10V | 1.35mOhm @ 932A, 10V | 4V @ 64mA | 2520 nC @ 10 V | ±20V | - | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | Y3-Li |
|
|
VM0550-2FMOSFET N-CH 100V 590A MODULE IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™ | Module | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 590A (Tc) | - | 2.1mOhm @ 500mA, 10V | - | 2000 nC @ 10 V | - | 50000 pF @ 25 V | - | 2200W | - | - | - | Chassis Mount | Module |
|
VMO580-02FMOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™ | Y3-Li | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 580A (Tc) | 10V | 3.8mOhm @ 430A, 10V | 4V @ 50mA | 2750 nC @ 10 V | ±20V | - | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | Y3-Li |
