上传BOM
场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFK35N50MOSFET N-CH 500V 35A TO264AA IXYS |
0 | - |
|
规格书 |
HiPerFET™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 35A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 16.5A, 10V | 4V @ 4mA | 227 nC @ 10 V | ±20V | 5700 pF @ 25 V | - | 416W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
|
|
IXFK52N30QMOSFET N-CH 300V 52A TO264AA IXYS |
0 | - |
|
规格书 |
HiPerFET™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 52A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 4mA | 150 nC @ 10 V | ±20V | 5300 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
|
|
IXFK60N25QMOSFET N-CH 250V 60A TO264AA IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 60A (Tc) | 10V | 47mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 4mA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
|
|
IXFK80N20MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA IXYS |
0 | - |
|
规格书 |
HiPerFET™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 80A (Tc) | 10V | 30mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 4mA | 280 nC @ 10 V | ±20V | 5900 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
|
|
IXFK80N20QMOSFET N-CH 200V 80A TO264AA IXYS |
0 | - |
|
规格书 |
HiPerFET™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 80A (Tc) | 10V | 28mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 4mA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 4600 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
|
IXFN100N20MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
规格书 |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 100A (Tc) | 10V | 23mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 8mA | 380 nC @ 10 V | ±20V | 9000 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
IXFN180N10MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
规格书 |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 180A (Tc) | 10V | 8mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 8mA | 360 nC @ 10 V | ±20V | 9100 pF @ 25 V | - | 600W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
.jpg)
|
IXFR10N100QMOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 IXYS |
0 | - |
|
规格书 |
HiPerFET™, Q Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 9A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 5A, 10V | 5.5V @ 4mA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 2900 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
|
|
IXFR12N100QMOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 IXYS |
0 | - |
|
规格书 |
HiPerFET™, Q Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 10A (Tc) | 10V | 1.1Ohm @ 6A, 10V | 5.5V @ 4mA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 2900 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
|
|
IXFR15N100PMOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247 IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™, Polar | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
