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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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IXFN280N085MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B IXYS |
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规格书 |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 85 V | 280A (Tc) | 10V | 4.4mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 8mA | 580 nC @ 10 V | ±20V | 19000 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
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IXFZ140N25TMOSFET N-CH 250V 100A DE475 IXYS |
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规格书 |
HiPerFET™, Trench | 6-SMD, Flat Leads | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 100A (Tc) | 10V | 17mOhm @ 60A, 10V | 5V @ 4mA | 255 nC @ 10 V | ±20V | 19000 pF @ 25 V | - | 445W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DE475 |
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IXFN32N60MOSFET N-CH 600V 32A SOT227B IXYS |
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规格书 |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 32A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 8mA | 325 nC @ 10 V | ±20V | 9000 pF @ 25 V | - | 520AW (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
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IXTN21N100MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B IXYS |
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MegaMOS™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 21A (Tc) | 10V | 550mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 500µA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 8400 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
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IXFK24N100FMOSFET N-CH 1000V 24A TO264 IXYS |
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HiPerRF™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 24A (Tc) | 10V | 390mOhm @ 12A, 10V | 5.5V @ 8mA | 195 nC @ 10 V | ±20V | 6600 pF @ 25 V | - | 560W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA |
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IXFE48N50QD2MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B IXYS |
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HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 41A (Tc) | 10V | 110mOhm @ 24A, 10V | 4V @ 4mA | 190 nC @ 10 V | ±20V | 8000 pF @ 25 V | - | 400W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
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IXFE48N50QD3MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B IXYS |
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HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 41A (Tc) | 10V | 110mOhm @ 24A, 10V | 4V @ 4mA | 190 nC @ 10 V | ±20V | 8000 pF @ 25 V | - | 400W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
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IXFL30N120PMOSFET N-CH 1200V 18A I5PAK IXYS |
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规格书 |
HiPerFET™, Polar | ISOPLUSi5-PAK™ | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 18A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 15A, 10V | 6.5V @ 1mA | 310 nC @ 10 V | ±30V | 19000 pF @ 25 V | - | 357W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUSi5-Pak™ |
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IXFE44N50QD2MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B IXYS |
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HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 39A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 22A, 10V | 4V @ 4mA | 190 nC @ 10 V | ±20V | 8000 pF @ 25 V | - | 400W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
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IXFE44N50QD3MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B IXYS |
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HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 39A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 22A, 10V | 4V @ 4mA | 190 nC @ 10 V | ±20V | 8000 pF @ 25 V | - | 400W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
