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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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MSC020SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 20 MOHM DIE Microchip Technology |
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- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC045SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 45 MOHM DIE Microchip Technology |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC025SMA330B4NMOSFET SIC 3300V 25 MOHM TO-247- Microchip Technology |
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- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 3300 V | 104A | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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MSC025SMA120SCT/RMOSFET SIC 1200 V 25 MOHM PSMT Microchip Technology |
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规格书 |
mSiC™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 108A (Tc) | 18V, 20V | 31mOhm @ 40A, 20V | 3V @ 3mA | 232 nC @ 20 V | +23V, -10V | 3633 pF @ 1000 V | - | 524W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268 |
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MSC030SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 30 MOHM DIE Microchip Technology |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC400SMA330B4NMOSFET SIC 3300V 400 MOHM TO-247 Microchip Technology |
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规格书 |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 3300 V | 11A (Tc) | 20V | 520mOhm @ 5A, 20V | 2.97V @ 1mA | 37 nC @ 20 V | +23V, -10V | 579 pF @ 2.4 kV | - | 131W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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MSC011SMC120D/SMOSFET SIC 1200 V 11 MOHM DIE Microchip Technology |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC011SMB120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 11 MOHM, 7LD T Microchip Technology |
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- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC080SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM DIE Microchip Technology |
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- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC040SMA120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-263 Microchip Technology |
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规格书 |
mSiC™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 68A (Tc) | 18V, 20V | 50mOhm @ 40A, 20V | 2.7V @ 2mA | 137 nC @ 20 V | +23V, -10V | 1962 pF @ 1000 V | - | 338W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268 |
