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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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BSD214SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6 Infineon Technologies |
14,492 | - |
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规格书 |
OptiMOS™ | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 140mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.2V @ 3.7µA | 0.8 nC @ 5 V | ±12V | 143 pF @ 10 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT363-PO |
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IAUCN04S7N030ATMA1MOSFET_(20V 40V) Infineon Technologies |
5,025 | - |
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规格书 |
OptiMOS™ 7 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 100A | 10V | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 100°C | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TDSON-8-33 |
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IAUCN04S7N015ATMA1MOSFET_(20V 40V) Infineon Technologies |
4,622 | - |
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规格书 |
OptiMOS™ 7 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A | 10V | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 175°C | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TDSON-8-34 |
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IRF8714TRPBFXTMA1TRENCH <= 40V Infineon Technologies |
3,490 | - |
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- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IAUCN04S7N040DATMA1MOSFET_(20V 40V) Infineon Technologies |
497 | - |
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* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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ISZ056N03LF2SATMA1ISZ056N03LF2SATMA1 Infineon Technologies |
5,000 | - |
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规格书 |
StrongIRFET™ 2 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 16A (Ta), 72A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.6mOhm @ 20A, 10V | 2.35V @ 30µA | 11 nC @ 4.5 V | ±20V | 1012 pF @ 15 V | - | 3W (Ta), 52W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TSDSON-8 FL |
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IRF8721TRPBFXTMA1TRENCH <= 40V Infineon Technologies |
4,000 | - |
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- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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ISP13DP06NMSATMA1MOSFET P-CH 60V SOT223 Infineon Technologies |
3,000 | - |
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规格书 |
OptiMOS™ | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 2.8A (Ta) | - | - | - | - | ±20V | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | PG-SOT223 |
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IAUCN04S7L011ATMA1MOSFET_(20V 40V) Infineon Technologies |
915 | - |
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规格书 |
OptiMOS™ 7 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 222A (Tj) | 4.5V, 10V | 1.13mOhm @ 60A, 10V | 1.8V @ 45µA | 64 nC @ 10 V | ±16V | 4240 pF @ 20 V | - | 105W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TDSON-8-34 |
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IPP020N03LF2SAKSA1TRENCH <= 40V Infineon Technologies |
897 | - |
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规格书 |
StrongIRFET™2 | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 33A (Ta), 125A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.05mOhm @ 70A, 10V | 2.35V @ 80µA | 104 nC @ 10 V | ±20V | 4700 pF @ 15 V | - | 3.8W (Ta), 136W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-U05 |
