Vishay Siliconix SI4838DY-T1-E3

    型号:
    SI4838DY-T1-E3
    制造商:
    Vishay Siliconix
    分类:
    场效应晶体管(FETs)、MOSFETs
    封装:
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    规格书:
    佰溢芯城SI4838DY-T1-E3.pdf
    描述:
    MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
    数量:

    单价:¥0

    总价:¥0

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    制造商:
    Vishay Siliconix
    系列:
    TrenchFET®
    封装/外壳:
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    包装:
    Tape & Reel (TR)
    产品状态:
    Obsolete
    FET 类型:
    N-Channel
    技术:
    MOSFET (Metal Oxide)
    漏极到源极电压 (Vdss):
    12 V
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
    17A (Ta)
    驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻):
    2.5V, 4.5V
    导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
    3mOhm @ 25A, 4.5V
    栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
    600mV @ 250µA (Min)
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
    60 nC @ 4.5 V
    栅极电压 (Vgs)(最大值):
    ±8V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
    -
    FET 特性:
    -
    功耗(最大值):
    1.6W (Ta)
    工作温度:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    等级:
    -
    认证:
    -
    安装类型:
    Surface Mount
    供应商设备封装:
    8-SOIC
    规格书:
    佰溢芯城SI4838DY-T1-E3.pdf

    1. 如何在佰溢芯城上订购SI4838DY-T1-E3

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    我们有一个专业且经验丰富的质量控制团队来严格验证和测试SI4838DY-T1-E3。所有供应商必须通过我们的资格审查,才能在佰溢芯城上发布包括SI4838DY-T1-E3在内的产品;我们比任何其他客户都更注重SI4838DY-T1-E3产品的渠道和质量。我们严格执行供应商审核,因此您可以放心购买。

    3. SI4838DY-T1-E3的价格和库存显示是否准确?

    SI4838DY-T1-E3的价格和库存波动频繁,无法及时更新,将在24小时内定期更新。而且,我们的报价通常在5天后到期。

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    6. 归还或更换SI4838DY-T1-E3的流程是什么?

    所有货物都将进行装运前检查(PSI),从您订单的所有批次中随机选择,以便在安排装运前进行系统检查。如果我们交付的SI4838DY-T1-E3有问题,只有在满足以下所有条件时,我们才会接受更换或退回SI4838DY-T1-E3:

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    (1)在90天内通知我们

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    图片 SI4838DY-T1-E3 SI4838DY-T1-GE3
    型号 SI4838DY-T1-E3 SI4838DY-T1-GE3
    制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
    系列 TrenchFET® TrenchFET®
    封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    包装 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
    产品状态 Obsolete Obsolete
    FET 类型 N-Channel N-Channel
    技术 MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
    漏极到源极电压 (Vdss) 12 V 12 V
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A (Ta) 17A (Ta)
    驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
    导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 3mOhm @ 25A, 4.5V 3mOhm @ 25A, 4.5V
    栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 600mV @ 250µA (Min) 600mV @ 250µA (Min)
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 60 nC @ 4.5 V 60 nC @ 4.5 V
    栅极电压 (Vgs)(最大值) ±8V ±8V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds - -
    FET 特性 - -
    功耗(最大值) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
    工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
    等级 - -
    认证 - -
    安装类型 Surface Mount Surface Mount
    供应商设备封装 8-SOIC 8-SOIC

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