Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FETE85LF

    型号:
    RN1901FETE85LF
    制造商:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    分类:
    双极晶体管阵列,预偏置
    封装:
    SOT-563, SOT-666
    规格书:
    佰溢芯城RN1901FETE85LF.pdf
    描述:
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
    数量:

    单价:¥0

    总价:¥0

    支付方式:
    支付方式
    物流方式:
    物流方式

    产品详情

    • 规格
    • 常见问题
    • 产品比对
    产品属性
    属性值
    制造商:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    系列:
    -
    封装/外壳:
    SOT-563, SOT-666
    包装:
    Tape & Reel (TR)
    产品状态:
    Active
    晶体管类型:
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
    100mA
    电压 - 集电极发射极击穿(最大值):
    50V
    电阻 - 基极 (R1):
    4.7kOhms
    电阻 - 发射极基极 (R2):
    4.7kOhms
    直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce:
    30 @ 10mA, 5V
    集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic:
    300mV @ 250µA, 5mA
    电流 - 集电极截止(最大值):
    100nA (ICBO)
    频率 - 跃迁:
    250MHz
    功率 - 最大值:
    100mW
    等级:
    -
    认证:
    -
    安装类型:
    Surface Mount
    供应商设备封装:
    ES6
    规格书:
    佰溢芯城RN1901FETE85LF.pdf

    1. 如何在佰溢芯城上订购RN1901FETE85LF

    目前,佰溢芯城只提供对等订单处理。当您提交询价时,我们的专业代理将与您联系,告知您全球市场上具有竞争力的价格,如果您接受我们的报价,我们的代理将提示您完成订单。

    2. 佰溢芯城如何保证RN1901FETE85LF来自原始制造商或授权代理商?

    我们有一个专业且经验丰富的质量控制团队来严格验证和测试RN1901FETE85LF。所有供应商必须通过我们的资格审查,才能在佰溢芯城上发布包括RN1901FETE85LF在内的产品;我们比任何其他客户都更注重RN1901FETE85LF产品的渠道和质量。我们严格执行供应商审核,因此您可以放心购买。

    3. RN1901FETE85LF的价格和库存显示是否准确?

    RN1901FETE85LF的价格和库存波动频繁,无法及时更新,将在24小时内定期更新。而且,我们的报价通常在5天后到期。

    4. 可以接受什么形式的付款?

    电汇、PayPal、支付宝、微信、信用卡、西联汇款、速汇金和托管都可以接受。

    温馨提示:某些付款形式的订单可能需要手续费。

    5. 运输安排如何?

    客户可以选择行业领先的货运公司,包括DHL、UPS、FedEx、TNT和挂号信。还提供运输保险。

    一旦您的订单处理完毕,我们的销售人员将向您发送一封电子邮件,告知您发货状态和跟踪号码。

    温馨提示:运营商可能需要长达24小时才能显示跟踪信息。通常,快递需要3-5天,挂号信需要25-60天。

    6. 归还或更换RN1901FETE85LF的流程是什么?

    所有货物都将进行装运前检查(PSI),从您订单的所有批次中随机选择,以便在安排装运前进行系统检查。如果我们交付的RN1901FETE85LF有问题,只有在满足以下所有条件时,我们才会接受更换或退回RN1901FETE85LF:

    (1)例如数量不足、交付错误的物品以及明显的外部缺陷(破损和生锈等),我们承认这些问题。

    (2)我们在交付RN1901FETE85LF后90天内获悉上述缺陷。

    (3)型号未使用,仅在原始未包装的包装中。

    退货的两个过程:

    (1)在90天内通知我们

    (2)获得申请退货授权

    7.如何联系我们以获得技术支持,如RN1901FETE85LF引脚图、RN1901FETE85LF规格书?

    如果您需要任何售后服务,请随时与我们联系。

    图片 RN1901FETE85LF
    型号 RN1901FETE85LF
    制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
    系列 -
    封装/外壳 SOT-563, SOT-666
    包装 Tape & Reel (TR)
    产品状态 Active
    晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
    电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 50V
    电阻 - 基极 (R1) 4.7kOhms
    电阻 - 发射极基极 (R2) 4.7kOhms
    直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
    集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
    电流 - 集电极截止(最大值) 100nA (ICBO)
    频率 - 跃迁 250MHz
    功率 - 最大值 100mW
    等级 -
    认证 -
    安装类型 Surface Mount
    供应商设备封装 ES6

    RN1901FETE85LF 相关信息

    • RN1901FETE85LF Tags
    • 热门搜索
    • RN1901FETE85LF
    • RN1901FETE85LF PDF
    • RN1901FETE85LF 数据表
    • RN1901FETE85LF 规格
    • RN1901FETE85LF 图片
    • Toshiba Semiconductor and Storage
    • Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FETE85LF
    • 购买 RN1901FETE85LF
    • RN1901FETE85LF 价格
    • RN1901FETE85LF 经销商
    • RN1901FETE85LF 供应商
    • RN1901FETE85LF 批发

    库存:0

    请发送RFQ,您的专属销售经理将立即回复。

    型号
    数量:
    价格:
    联系人:
    公司名称:
    邮箱:
    备注:

    库存:0

    数量 单价 总价
    快速询价 添加到询价清单
    SMUN5311DW1T1G
    SMUN5311DW1T1G

    onsemi

    UMH9NTN
    UMH9NTN

    Rohm Semiconductor

    PUMH13,115
    PUMH13,115

    Nexperia USA Inc.

    PUMD3-QX
    PUMD3-QX

    Nexperia USA Inc.

    PUMD2,115
    PUMD2,115

    Nexperia USA Inc.

    RN4987FE,LF(CT
    RN4987FE,LF(CT

    Toshiba Semiconductor and Storage

    PUMD12,115
    PUMD12,115

    Nexperia USA Inc.

    PUMD9,115
    PUMD9,115

    Nexperia USA Inc.

    PUMH9,115
    PUMH9,115

    Nexperia USA Inc.

    PUMD3,115
    PUMD3,115

    Nexperia USA Inc.

    DCX114EU-7-F
    DCX114EU-7-F

    Diodes Incorporated

    PUMD13,115
    PUMD13,115

    Nexperia USA Inc.

    首页

    首页

    产品中心

    产品中心

    电话

    电话

    会员中心

    会员中心