Texas Instruments CSD88599Q5DCT

    型号:
    CSD88599Q5DCT
    制造商:
    Texas Instruments
    分类:
    场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列
    封装:
    22-PowerTFDFN
    规格书:
    佰溢芯城CSD88599Q5DCT.pdf
    描述:
    MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP
    数量:

    单价:¥0

    总价:¥0

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    制造商:
    Texas Instruments
    系列:
    NexFET™
    封装/外壳:
    22-PowerTFDFN
    包装:
    Tape & Reel (TR)
    产品状态:
    Active
    技术:
    MOSFET (Metal Oxide)
    配置:
    2 N-Channel (Half Bridge)
    FET 特性:
    -
    漏极到源极电压 (Vdss):
    60V
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
    -
    导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
    2.1mOhm @ 30A, 10V
    栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
    2.5V @ 250µA
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
    27nC @ 4.5V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
    4840pF @ 30V
    功率 - 最大值:
    12W
    工作温度:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    等级:
    -
    认证:
    -
    安装类型:
    Surface Mount
    供应商设备封装:
    22-VSON-CLIP (5x6)
    规格书:
    佰溢芯城CSD88599Q5DCT.pdf

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    我们有一个专业且经验丰富的质量控制团队来严格验证和测试CSD88599Q5DCT。所有供应商必须通过我们的资格审查,才能在佰溢芯城上发布包括CSD88599Q5DCT在内的产品;我们比任何其他客户都更注重CSD88599Q5DCT产品的渠道和质量。我们严格执行供应商审核,因此您可以放心购买。

    3. CSD88599Q5DCT的价格和库存显示是否准确?

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    如果您需要任何售后服务,请随时与我们联系。

    图片 CSD88599Q5DCT
    型号 CSD88599Q5DCT
    制造商 Texas Instruments
    系列 NexFET™
    封装/外壳 22-PowerTFDFN
    包装 Tape & Reel (TR)
    产品状态 Active
    技术 MOSFET (Metal Oxide)
    配置 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET 特性 -
    漏极到源极电压 (Vdss) 60V
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C -
    导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 2.1mOhm @ 30A, 10V
    栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 2.5V @ 250µA
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 27nC @ 4.5V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 4840pF @ 30V
    功率 - 最大值 12W
    工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
    等级 -
    认证 -
    安装类型 Surface Mount
    供应商设备封装 22-VSON-CLIP (5x6)

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