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| 图片 | ![]() |
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| 型号 | 2SJ655 | 2SJ655-MG5 |
| 制造商 | onsemi | onsemi |
| 系列 | - | - |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| 包装 | Bulk | Bulk |
| 产品状态 | Obsolete | Obsolete |
| FET 类型 | P-Channel | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压 (Vdss) | 100 V | 100 V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 12A (Ta) | 12A (Ta) |
| 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) | - | - |
| 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs | 136mOhm @ 6A, 10V | 136mOhm @ 6A, 10V |
| 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id | - | - |
| 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs | 41 nC @ 10 V | 41 nC @ 10 V |
| 栅极电压 (Vgs)(最大值) | - | - |
| 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds | 2090 pF @ 20 V | 2090 pF @ 20 V |
| FET 特性 | - | - |
| 功耗(最大值) | 2W (Ta), 25W (Tc) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
| 工作温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 等级 | - | - |
| 认证 | - | - |
| 安装类型 | Through Hole | Through Hole |
| 供应商设备封装 | TO-220ML | TO-220ML |

Infineon Technologies

Vishay Siliconix

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Vishay Siliconix

Nexperia USA Inc.

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Rohm Semiconductor

onsemi

Rohm Semiconductor

STMicroelectronics

Diodes Incorporated

Diodes Incorporated