Microsemi Corporation APTM120A80FT1G

    型号:
    APTM120A80FT1G
    制造商:
    Microsemi Corporation
    分类:
    场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列
    封装:
    SP1
    规格书:
    佰溢芯城APTM120A80FT1G.pdf
    描述:
    MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
    数量:

    单价:¥0

    总价:¥0

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    产品详情

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    制造商:
    Microsemi Corporation
    系列:
    -
    封装/外壳:
    SP1
    包装:
    Bulk
    产品状态:
    Obsolete
    技术:
    MOSFET (Metal Oxide)
    配置:
    2 N-Channel (Half Bridge)
    FET 特性:
    -
    漏极到源极电压 (Vdss):
    1200V (1.2kV)
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
    14A
    导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
    960mOhm @ 12A, 10V
    栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
    5V @ 2.5mA
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
    260nC @ 10V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
    6696pF @ 25V
    功率 - 最大值:
    357W
    工作温度:
    -40°C ~ 150°C (TJ)
    等级:
    -
    认证:
    -
    安装类型:
    Chassis Mount
    供应商设备封装:
    SP1
    规格书:
    佰溢芯城APTM120A80FT1G.pdf

    1. 如何在佰溢芯城上订购APTM120A80FT1G

    目前,佰溢芯城只提供对等订单处理。当您提交询价时,我们的专业代理将与您联系,告知您全球市场上具有竞争力的价格,如果您接受我们的报价,我们的代理将提示您完成订单。

    2. 佰溢芯城如何保证APTM120A80FT1G来自原始制造商或授权代理商?

    我们有一个专业且经验丰富的质量控制团队来严格验证和测试APTM120A80FT1G。所有供应商必须通过我们的资格审查,才能在佰溢芯城上发布包括APTM120A80FT1G在内的产品;我们比任何其他客户都更注重APTM120A80FT1G产品的渠道和质量。我们严格执行供应商审核,因此您可以放心购买。

    3. APTM120A80FT1G的价格和库存显示是否准确?

    APTM120A80FT1G的价格和库存波动频繁,无法及时更新,将在24小时内定期更新。而且,我们的报价通常在5天后到期。

    4. 可以接受什么形式的付款?

    电汇、PayPal、支付宝、微信、信用卡、西联汇款、速汇金和托管都可以接受。

    温馨提示:某些付款形式的订单可能需要手续费。

    5. 运输安排如何?

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    温馨提示:运营商可能需要长达24小时才能显示跟踪信息。通常,快递需要3-5天,挂号信需要25-60天。

    6. 归还或更换APTM120A80FT1G的流程是什么?

    所有货物都将进行装运前检查(PSI),从您订单的所有批次中随机选择,以便在安排装运前进行系统检查。如果我们交付的APTM120A80FT1G有问题,只有在满足以下所有条件时,我们才会接受更换或退回APTM120A80FT1G:

    (1)例如数量不足、交付错误的物品以及明显的外部缺陷(破损和生锈等),我们承认这些问题。

    (2)我们在交付APTM120A80FT1G后90天内获悉上述缺陷。

    (3)型号未使用,仅在原始未包装的包装中。

    退货的两个过程:

    (1)在90天内通知我们

    (2)获得申请退货授权

    7.如何联系我们以获得技术支持,如APTM120A80FT1G引脚图、APTM120A80FT1G规格书?

    如果您需要任何售后服务,请随时与我们联系。

    图片 APTM120A80FT1G
    型号 APTM120A80FT1G
    制造商 Microsemi Corporation
    系列 -
    封装/外壳 SP1
    包装 Bulk
    产品状态 Obsolete
    技术 MOSFET (Metal Oxide)
    配置 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET 特性 -
    漏极到源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 14A
    导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 960mOhm @ 12A, 10V
    栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 5V @ 2.5mA
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 260nC @ 10V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 6696pF @ 25V
    功率 - 最大值 357W
    工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
    等级 -
    认证 -
    安装类型 Chassis Mount
    供应商设备封装 SP1

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