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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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应用所有
结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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EPC7003ASHGAN FET HEMT 100V 10A.045OHM 4UB EPC Space, LLC |
25 | - |
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规格书 |
eGaN®, FSMD-A | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel, Depletion Mode | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 10A (Tc) | 5V | 45mOhm @ 10A, 5V | 2.5V @ 1.4mA | 2.2 nC @ 5 V | +6V, -4V | 233 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
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EPC7004BSHGAN FET HEMT EPC Space, LLC |
25 | - |
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规格书 |
eGaN®, FSMD-B | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 30A (Tc) | 5V | 15mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 7mA | 11 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1000 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-FSMD-B |
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EPC7020GCGAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB EPC Space, LLC |
0 | - |
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规格书 |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 200 V | 80A (Tc) | 5V | 14.5mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 7mA | - | +6V, -4V | 1313 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
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EPC7020GSHGAN FET HEMT 200V 80A 5UB EPC Space, LLC |
0 | - |
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规格书 |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 200 V | 80A (Tc) | 5V | 14.5mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 7mA | 13.5 nC @ 100 V | +6V, -4V | 1313 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
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FBG10N05ASHGAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A EPC Space, LLC |
0 | - |
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规格书 |
eGaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 5A (Tc) | 5V | 45mOhm @ 5A, 5V | 2.5V @ 1.2mA | 2.2 nC @ 5 V | +6V, -4V | 233 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
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FBG20N04ASHGAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A EPC Space, LLC |
0 | - |
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规格书 |
e-GaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 200 V | 4A (Tc) | 5V | 130mOhm @ 4A, 5V | 2.8V @ 1mA | 3 nC @ 5 V | +6V, -4V | 150 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
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FBG04N08ASHGAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A EPC Space, LLC |
0 | - |
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规格书 |
e-GaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 40 V | 8A (Tc) | 5V | 24mOhm @ 8A, 5V | 2.5V @ 2mA | 2.8 nC @ 5 V | +6V, -4V | 312 pF @ 20 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
