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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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EPC7001BCGAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B EPC Space, LLC |
146 | - |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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EPC7002ACGAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A EPC Space, LLC |
89 | - |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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EPC7007BSHGAN FET HEMT 200V 18A 4UB EPC Space, LLC |
50 | - |
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规格书 |
eGaN®, FSMD-B | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 18A (Tc) | 5V | 28mOhm @ 18A, 5V | 2.5V @ 3mA | 7 nC @ 5 V | +6V, -4V | 900 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
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EPC7001BSHGAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B EPC Space, LLC |
50 | - |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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EPC7002ASHGAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A EPC Space, LLC |
50 | - |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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EPC7019GCGAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB EPC Space, LLC |
25 | - |
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规格书 |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 40 V | 80A (Tc) | 5V | 4mOhm @ 50A, 5V | 2.5V @ 18mA | - | +6V, -4V | 2830 pF @ 20 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
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EPC7018GCGAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB EPC Space, LLC |
2 | - |
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规格书 |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 80A (Tc) | 5V | 6mOhm @ 40A, 5V | 2.5V @ 12mA | 11.7 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1240 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
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EPC7018GSHGAN FET HEMT 100V 90A 5UB EPC Space, LLC |
10 | - |
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规格书 |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 80A (Tc) | 5V | 6mOhm @ 40A, 5V | 2.5V @ 12mA | 11.7 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1240 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
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EPC7014UBSHGAN FET HEMT 60V 1A 4UB EPC Space, LLC |
11 | - |
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规格书 |
e-GaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 60 V | 1A (Tc) | 5V | 580mOhm @ 1A, 5V | 2.5V @ 140µA | - | - | 22 pF @ 30 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
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FBG04N30BSHGAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B EPC Space, LLC |
13 | - |
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规格书 |
e-GaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 40 V | 30A (Tc) | 5V | 9mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 9mA | 11.4 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1300 pF @ 20 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
