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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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NTD78N03R-1GN-CHANNEL POWER MOSFET onsemi |
4,050 | - |
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规格书 |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NTB65N02RT4GMOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK onsemi |
0 | - |
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规格书 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 7.6A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.2mOhm @ 30A, 10V | 2V @ 250µA | 9.5 nC @ 4.5 V | ±20V | 1330 pF @ 20 V | - | 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
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2SJ637-EPCH 4V DRIVE SERIES onsemi |
3,960 | - |
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规格书 |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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2SJ645-TL-EMOSFET P-CH onsemi |
3,500 | - |
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规格书 |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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ECH8607-TL-EN-CHANNEL SILICON MOSFET onsemi |
3,000 | - |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NTDV20N06LT4GMOSFET N-CH 60V 20A DPAK onsemi |
0 | - |
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- |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 20A (Ta) | 5V | 48mOhm @ 10A, 5V | 2V @ 250µA | 32 nC @ 5 V | ±15V | 990 pF @ 25 V | - | 1.36W (Ta), 60W (Tj) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
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NTD6600N-1GMOSFET N-CH 100V 12A IPAK onsemi |
0 | - |
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规格书 |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 12A (Ta) | 5V | 146mOhm @ 6A, 5V | 2V @ 250µA | 20 nC @ 5 V | ±20V | 700 pF @ 25 V | - | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
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NTD40N03R-001MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK onsemi |
0 | - |
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规格书 |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 7.8A (Ta), 32A (Tc) | 4.5V, 10V | 16.5mOhm @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 5.78 nC @ 4.5 V | ±20V | 584 pF @ 20 V | - | 1.5W (Ta), 50W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
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SCH1601-A-TL-WMOSFET N-CH 16V SC28 onsemi |
0 | - |
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- |
* | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NTLGF3501NT2GMOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN onsemi |
0 | - |
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规格书 |
FETKY™ | 6-VDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.8A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 90mOhm @ 3.4A, 4.5V | 2V @ 250µA | 10 nC @ 4.5 V | ±12V | 275 pF @ 10 V | - | 1.14W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-DFN (3x3) |
