结型场效应晶体管(JFETs)

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 漏极电流 (Id) - 最大值 截止电压 (VGS off) @ Id 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 电阻 - RDS(On) 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装




















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    IJW120R100T1FKSA1

    IJW120R100T1FKSA1

    JFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3

    Infineon Technologies

    0
    IJW120R100T1FKSA1

    规格书

    CoolSiC™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel 1200 V 1200 V 1.5 µA @ 1200 V 26 A - 1550pF @ 19.5V (VGS) 100 mOhms 190 W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
    IJW120R070T1FKSA1

    IJW120R070T1FKSA1

    JFET PWR FIELD EFFECT

    Infineon Technologies

    330
    IJW120R070T1FKSA1

    规格书

    CoolSiC™ TO-247-3 Bulk Active N-Channel 1200 V 1200 V 3.3 µA @ 1200 V 35 A - 2000pF @ 19.5V (VGS) 70 mOhms 238 W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
    IJW120R070T1FKSA1

    IJW120R070T1FKSA1

    JFET N-CH 1.2KV 35A TO247-3

    Infineon Technologies

    0
    IJW120R070T1FKSA1

    规格书

    CoolSiC™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel 1200 V 1200 V 3.3 µA @ 1200 V 35 A - 2000pF @ 19.5V (VGS) 70 mOhms 238 W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
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