IGBT 模块

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装




































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    VS-GT75YF120UT

    VS-GT75YF120UT

    ECONO - 4 PACK IGBT

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    107

    -

    - Module Box Active Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 118 A 431 W 2.6V @ 15V, 75A 100 µA - Standard Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount -
    VS-GT90DA120U

    VS-GT90DA120U

    SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT + A

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    51

    -

    - SOT-227-4, miniBLOC Tube Active Trench Field Stop Single 1200 V 169 A 781 W 2.6V @ 15V, 75A 100 µA - Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
    VS-ENV020F65U

    VS-ENV020F65U

    POWER MODULE

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    9

    -

    * - Box Active - - - - - - - - - - - - -
    VS-ENV020M120M

    VS-ENV020M120M

    POWER MODULE

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    9

    -

    * - Box Active - - - - - - - - - - - - -
    VS-ENM040M60P

    VS-ENM040M60P

    POWER MODULE

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    5

    -

    * - Box Active - - - - - - - - - - - - -
    VS-ENK025C65S

    VS-ENK025C65S

    POWER MODULE

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    8

    -

    * - Box Active - - - - - - - - - - - - -
    VS-ENW30S120T

    VS-ENW30S120T

    POWER MODULE

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    8

    -

    * - Box Active - - - - - - - - - - - - -
    VS-GT100TS065N

    VS-GT100TS065N

    MODULES IGBT - IAP IGBT

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    8

    -

    - Module Box Active Trench Field Stop Half Bridge Inverter 650 V 96 A 259 W 2.3V @ 15V, 100A 50 µA - Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK IGBT
    VS-GT100TS065S

    VS-GT100TS065S

    MODULES IGBT - IAP IGBT

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    15

    -

    FRED Pt® Module Box Active Trench Half Bridge Inverter 650 V 247 A 517 W 1.32V @ 15V, 100A 100 µA - Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK IGBT
    VS-GT150TS065S

    VS-GT150TS065S

    MODULES IGBT - IAP IGBT

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    15

    -

    FRED Pt® Module Box Active Trench Half Bridge Inverter 650 V 372 A 789 W 1.32V @ 15V, 150A 150 µA - Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK IGBT
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