图片 | 型号 | 库存 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | IGBT 类型 | 配置 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 功率 - 最大值 | 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic | 电流 - 集电极截止(最大值) | 输入电容 (Cies) @ Vce | 输入 | NTC 热敏电阻 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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GB100XCP12-227IGBT MODULE 1200V 100A SOT227 GeneSiC Semiconductor |
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- | SOT-227-4 | Bulk | Obsolete | PT | Single | 1200 V | 100 A | - | 2V @ 15V, 100A | 1 mA | 8.55 nF @ 25 V | Standard | No | -40°C ~ 175°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227 |