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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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应用所有
结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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CP375-CWDM3011N-CTMOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE Central Semiconductor Corp |
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规格书 |
- | Die | Tray | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta) | 4.5V, 10V | 20mOhm @ 11A, 10V | 3V @ 250µA | 6.3 nC @ 5 V | ±20V | 860 pF @ 15 V | - | 2.5W | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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CP406-CWDM3011N-CTMOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE Central Semiconductor Corp |
0 | - |
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规格书 |
- | Die | Tray | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9.93A (Ta) | 4.5V, 10V | 13mOhm @ 1A, 10V | 3V @ 250µA | - | ±20V | - | - | 1.15W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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CP372-WNMOSFET N-CH 60V DIE Central Semiconductor Corp |
0 | - |
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规格书 |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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CP372-CTMOSFET N-CH 60V DIE Central Semiconductor Corp |
0 | - |
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规格书 |
- | - | Tray | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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CTLM7110-M832D BKTRANSISTOR Central Semiconductor Corp |
0 | - |
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规格书 |
- | 8-TDFN Exposed Pad | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 250mOhm @ 100mA, 1.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4 nC @ 4.5 V | 8V | 220 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.65W (Ta) | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TLM832D |
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CTLM7110-M832D TRTRANSISTOR Central Semiconductor Corp |
0 | - |
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规格书 |
- | 8-TDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 250mOhm @ 100mA, 1.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4 nC @ 4.5 V | 8V | 220 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.65W (Ta) | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TLM832D |
