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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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STP270N8F7WMOSFET N CH 80V 180A TO-220AB STMicroelectronics |
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- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 180A (Tc) | 10V | 2.5mOhm @ 90A, 10V | 4V @ 250µA | 193 nC @ 10 V | ±20V | 13600 pF @ 50 V | - | 315W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
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STP70NS04ZCMOSFET N-CH 33V 80A TO220AB STMicroelectronics |
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规格书 |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 33 V | 80A (Tc) | 10V | 11mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 1mA | 58 nC @ 10 V | ±20V | 1930 pF @ 25 V | - | 180W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
