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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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NTHL080N120SC1SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 onsemi |
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规格书 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 44A (Tc) | 20V | 110mOhm @ 20A, 20V | 4.3V @ 5mA | 56 nC @ 20 V | +25V, -15V | 1670 pF @ 800 V | - | 348W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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FDN337N-F169MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 onsemi |
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规格书 |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2.2A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 65mOhm @ 2.2A, 4.5V | 1V @ 250µA | 9 nC @ 4.5 V | ±8V | 300 pF @ 10 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
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FDN360P-NBGT003BMOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 onsemi |
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规格书 |
PowerTrench® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2A (Ta) | 4.5V, 10V | 80mOhm @ 2A, 10V | 3V @ 250µA | 9 nC @ 10 V | ±20V | 298 pF @ 15 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
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NDS355AN-F169MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3 onsemi |
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规格书 |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tray | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 1.7A (Ta) | 4.5V, 10V | 85mOhm @ 1.9A, 10V | 2V @ 250µA | 5 nC @ 5 V | ±20V | 195 pF @ 15 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
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NDS355AN-NB9L007AMOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3 onsemi |
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规格书 |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tray | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 1.7A (Ta) | 4.5V, 10V | 85mOhm @ 1.9A, 10V | 2V @ 250µA | 5 nC @ 5 V | ±20V | 195 pF @ 15 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
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NDS356AP-NB8L005AMOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 onsemi |
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规格书 |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tray | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 1.1A (Ta) | 4.5V, 10V | 200mOhm @ 1.3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 4.4 nC @ 5 V | ±20V | 280 pF @ 10 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
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NVD5807NT4G-VF01MOSFET N-CH 40V 23A DPAK onsemi |
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规格书 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 23A (Tc) | 4.5V, 10V | 31mOhm @ 5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 603 pF @ 25 V | - | 33W (Tj) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | DPAK |
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NVD6416ANLT4GMOSFET N-CH 100V 19A DPAK onsemi |
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规格书 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 19A (Tc) | 4.5V, 10V | 74mOhm @ 19A, 10V | 2.2V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1000 pF @ 25 V | - | 71W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | DPAK-3 |
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NVD6495NLT4GMOSFET N-CH 100V 25A DPAK onsemi |
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规格书 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 25A (Tc) | 4.5V, 10V | 50mOhm @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 1024 pF @ 25 V | - | 83W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | DPAK |
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NTNS5K0P021ZTCGMOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN onsemi |
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规格书 |
- | 3-XFDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 127mA (Ta) | 1.5V, 4.5V | 5Ohm @ 100mA, 4.5V | 1V @ 250µA | - | ±8V | 12.8 pF @ 15 V | - | 125mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 3-XDFN (0.42x0.62) |
