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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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XR46000ESETRMOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223 MaxLinear, Inc. |
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规格书 |
- | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.5A (Tc) | 10V | 8Ohm @ 750mA, 10V | 4V @ 250µA | 7.5 nC @ 10 V | ±30V | 170 pF @ 25 V | - | 20W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223-3 |
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XR46000ESEMOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223 MaxLinear, Inc. |
0 | - |
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规格书 |
- | TO-261-4, TO-261AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.5A (Tc) | 10V | 8Ohm @ 750mA, 10V | 4V @ 250µA | 7.5 nC @ 10 V | ±30V | 170 pF @ 25 V | - | 20W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223-3 |
