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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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SD215DE TO-72 4LHIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO Linear Integrated Systems, Inc. |
468 | - |
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规格书 |
SD215 | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 50mA (Ta) | 5V, 25V | 45Ohm @ 1mA, 10V | 1.5V @ 1µA | - | +30V, -25V | - | - | 300mW (Ta) | -55°C ~ 125°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-72-4 |
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SD214DE TO-72 4LHIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO Linear Integrated Systems, Inc. |
95 | - |
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规格书 |
SD214DE | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 50mA (Ta) | 5V, 25V | 45Ohm @ 1mA, 10V | 1.5V @ 1µA | - | ±40V | - | - | 300mW (Ta) | -55°C ~ 125°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-72-4 |
