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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果:
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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IRF3709PBFIRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW International Rectifier |
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规格书 |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 90A (Tc) | 4.5V, 10V | 9mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 41 nC @ 5 V | ±20V | 2672 pF @ 16 V | - | 3.1W (Ta), 120W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRFH7440TRPBFIRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO International Rectifier |
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规格书 |
HEXFET®, StrongIRFET™ | 8-PowerTDFN | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 85A (Tc) | 6V, 10V | 2.4mOhm @ 50A, 10V | 3.9V @ 100µA | 138 nC @ 10 V | ±20V | 4574 pF @ 25 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
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IRF6722MTRPBFMOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT International Rectifier |
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规格书 |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MP | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 13A (Ta), 56A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.7mOhm @ 13A, 10V | 2.4V @ 50µA | 17 nC @ 4.5 V | ±20V | 1300 pF @ 15 V | - | 2.3W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MP |
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AUIRF6218SAUIRF6218 - 20V-150V P-CHANNEL A International Rectifier |
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规格书 |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 27A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 16A, 10V | 5V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 2210 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
