图片 | 型号 | 库存 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 特性 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id | 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs | 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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19MT050XFMOSFET 4N-CH 500V 31A 16MTP Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
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![]() 规格书 |
HEXFET® | 16-MTP Module | Bulk | Obsolete | MOSFET (Metal Oxide) | 4 N-Channel (Full Bridge) | - | 500V | 31A | 220mOhm @ 19A, 10V | 6V @ 250µA | 160nC @ 10V | 7210pF @ 25V | 1140W | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | 16-MTP |