单个预偏置双极晶体管

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 晶体管类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电阻 - 基极 (R1) 电阻 - 发射极基极 (R2) 直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 频率 - 跃迁 功率 - 最大值 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
































































































































































































































































































































































































































































































































































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    图片 型号 库存 价格 数量 规格书 系列 封装/外壳 包装 产品状态 晶体管类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电阻 - 基极 (R1) 电阻 - 发射极基极 (R2) 直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 频率 - 跃迁 功率 - 最大值 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
    KSR1102MTF

    KSR1102MTF

    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23

    Fairchild Semiconductor

    30,000
    KSR1102MTF

    规格书

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active NPN - Pre-Biased 100 mA 50 V - - 30 @ 5mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) - 200 mW - - Surface Mount SOT-23
    KSR1004BU

    KSR1004BU

    TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3

    Fairchild Semiconductor

    40,000
    KSR1004BU

    规格书

    - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Obsolete NPN - Pre-Biased 100 mA 50 V 47 kOhms 47 kOhms 68 @ 5mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA 250 MHz 300 mW - - Through Hole TO-92-3
    FJN3306RTA

    FJN3306RTA

    TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3

    Fairchild Semiconductor

    0
    FJN3306RTA

    规格书

    - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Bulk Obsolete NPN - Pre-Biased 100 mA 50 V 10 kOhms 47 kOhms 68 @ 5mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 250 MHz 300 mW - - Through Hole TO-92-3
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