图片 | 型号 | 库存 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 晶体管类型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) | 电阻 - 基极 (R1) | 电阻 - 发射极基极 (R2) | 直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce | 集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic | 电流 - 集电极截止(最大值) | 频率 - 跃迁 | 功率 - 最大值 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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NSBA144EDXV6T1GNSBA144EDXV6 - DUAL PNP BIAS RES Fairchild Semiconductor |
36,000 |
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![]() 规格书 |
- | SOT-563, SOT-666 | Bulk | Active | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | 100mA | 50V | 47kOhms | 47kOhms | 80 @ 5mA, 10V | 250mV @ 300µA, 10mA | 500nA | - | 500mW | - | - | Surface Mount | SOT-563 |